G3SBA60-M3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.83 грн |
10+ | 95.97 грн |
100+ | 66.43 грн |
500+ | 55.88 грн |
800+ | 50.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3SBA60-M3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 2.3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції G3SBA60-M3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
G3SBA60-M3/45 | Виробник : Vishay | Diode Rectifier Bridge Single 600V 2.3A 4-Pin Case GBU Tube |
товар відсутній |
||
G3SBA60-M3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |