G400P06T

G400P06T Goford Semiconductor


GOFORD-G400P06T.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.45 грн
10+ 43.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G400P06T Goford Semiconductor

Description: P-60V,-32A,RD(MAX).

Інші пропозиції G400P06T за ціною від 16.3 грн до 16.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G400P06T Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G400P06T.pdf G400P06T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000