Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G40P03D5
G40P03D5

G40P03D5 Goford Semiconductor

G40P03D5.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G40P03D5 Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції G40P03D5 за ціною від 18.31 грн до 77.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G40P03D5 G40P03D5 Виробник : Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.63 грн
10+46.89 грн
100+30.65 грн
500+22.20 грн
1000+20.09 грн
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Виробник : Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR G40P03D5.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -35A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.