Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G45P02D3
G45P02D3

G45P02D3 Goford Semiconductor

GOFORD-G45P02D3.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 10 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.44 грн
10+ 33.38 грн
100+ 23.11 грн
500+ 18.12 грн
1000+ 15.42 грн
2000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G45P02D3 Goford Semiconductor

Description: P20V,RD(MAX).

Інші пропозиції G45P02D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G45P02D3 G45P02D3 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 10 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товар відсутній