G4S06510QT Global Power Technology


085704vw.pdf
Виробник: Global Power Technology
Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+237.61 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G4S06510QT Global Power Technology

Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8.

Інші пропозиції G4S06510QT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G4S06510QT G4S06510QT Global Power Technology Co. Ltd 085704vw.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QT G4S06510QT Global Power Technology-GPT 085704vw.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QT G4S06510QT Global Power Technology-GPT 085704vw.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QT 085704vw.pdf
Виробник: Global Power Technology Co. Ltd
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QT 085704vw.pdf
Виробник: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QT 085704vw.pdf
Виробник: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.