G58N06F Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30006 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.53 грн |
| 10+ | 67.46 грн |
| 50+ | 50.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G58N06F Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 35A; 44W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 35A, Power dissipation: 44W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 75nC.
Інші пропозиції G58N06F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| G58N06F | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 35A; 44W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 44W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 75nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| G58N06F |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 35A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 35A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.