G60N06T Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.98 грн |
| 10+ | 59.55 грн |
| 50+ | 44.29 грн |
| 100+ | 36.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G60N06T Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 55A, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 60W, Gate charge: 39nC, Technology: Trench.
Інші пропозиції G60N06T за ціною від 24.99 грн до 24.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G60N06T | GOFORD Semiconductor |
N-CH,60V,50A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, TO-220 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G60N06T |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,50A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, TO-220
N-CH,60V,50A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 567+ | 24.99 грн |