G60N10K Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.04 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G60N10K Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; 105W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 60A, Power dissipation: 105W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 146nC.
Інші пропозиції G60N10K за ціною від 35.13 грн до 124.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G60N10K | Goford Semiconductor |
Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| G60N10K | GOFORD Semiconductor |
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 25mOhm at 10V,RD(max) Less Than 30mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G60N10K |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V
Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.05 грн |
| 10+ | 75.89 грн |
| 50+ | 56.93 грн |
| 100+ | 47.66 грн |
| 500+ | 37.54 грн |
| G60N10K |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 25mOhm at 10V,RD(max) Less Than 30mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-252
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 25mOhm at 10V,RD(max) Less Than 30mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.13 грн |