G60N10T Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5986 pF @ 50 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.34 грн |
| 50+ | 76.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G60N10T Goford Semiconductor
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 19mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-220.
Інші пропозиції G60N10T за ціною від 35.78 грн до 35.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G60N10T | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 19mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-220 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|