G630J Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G630J Goford Semiconductor

Інші пропозиції G630J за ціною від 32.53 грн до 67.75 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G630J	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3. Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V	на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 5+ 67.75 грн 10+ 57.22 грн 100+ 43.85 грн 500+ 32.53 грн Мінімальне замовлення: 5 купити В кошику  од. на суму  грн.