G65P06T Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 30 V

на замовлення 84 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	144.93 грн
50+	67.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G65P06T Goford Semiconductor

Інші пропозиції G65P06T за ціною від 36.10 грн до 39.10 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G65P06T	Виробник : GOFORD Semiconductor	P-CH,-60V,-65A,RD(max) Less Than 18mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.5V, TO-220	на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 311+ 39.10 грн 15000+ 36.10 грн Мінімальне замовлення: 311 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G65P06T	Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR	P-Channel 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220	на замовлення 450 шт: термін постачання 5 дні (днів)	купити В кошику  од. на суму  грн.