G66 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45M@-4.5V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G66 Goford Semiconductor
Description: P-16V,-5.8A,RD(MAX).
Інші пропозиції G66
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
G66 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45M@-4.5V,VT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V |
товару немає в наявності |