G700P06H

G700P06H Goford Semiconductor


GOFORD-G700P06H.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1459 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G700P06H Goford Semiconductor

Description: P-60V,-5A,RD(MAX).

Інші пропозиції G700P06H за ціною від 8.64 грн до 32.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G700P06H G700P06H Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G700P06H.pdf Description: P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1459 pF @ 30 V
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.97 грн
12+ 24.36 грн
100+ 14.63 грн
500+ 12.71 грн
1000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9