G7K2N20HE Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 7.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G7K2N20HE Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 10.8nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції G7K2N20HE за ціною від 10.08 грн до 51.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G7K2N20HE | GOFORD Semiconductor |
 N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
G7K2N20HE | GOFORD Semiconductor |
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
G7K2N20HE | GOFORD Semiconductor |
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
G7K2N20HE | Goford Semiconductor |
Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G7K2N20HE |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.08 грн |
| G7K2N20HE |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 340+ | 42.04 грн |
| 343+ | 41.62 грн |
| 540+ | 26.45 грн |
| 718+ | 19.18 грн |
| 1000+ | 15.78 грн |
| G7K2N20HE |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 42.39 грн |
| 25+ | 41.95 грн |
| 100+ | 26.66 грн |
| 500+ | 19.34 грн |
| 1000+ | 15.91 грн |
| G7K2N20HE |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.02 грн |
| 10+ | 30.30 грн |
| 50+ | 22.12 грн |
| 100+ | 18.28 грн |
| 500+ | 13.89 грн |