G7K2N20LLE Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.35 грн |
| 13+ | 23.77 грн |
| 50+ | 17.25 грн |
| 100+ | 14.21 грн |
| 500+ | 10.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G7K2N20LLE Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT23-6; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції G7K2N20LLE за ціною від 6.87 грн до 6.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G7K2N20LLE | GOFORD Semiconductor |
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-23-6L |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G7K2N20LLE |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-23-6L
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.87 грн |