Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G7P03L
G7P03L

G7P03L Goford Semiconductor

GOFORD-G7P03L.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.72 грн
15000+ 4.16 грн
30000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G7P03L Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 7A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції G7P03L за ціною від 4.65 грн до 32.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G7P03L G7P03L Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G7P03L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.25 грн
13+ 21.95 грн
100+ 11.08 грн
500+ 9.21 грн
1000+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
G7P03L Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G7P03L.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.57 грн
15000+ 5.11 грн
30000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G7P03L G7P03L Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G7P03L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній