G7P03L Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G7P03L Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7A, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench, Power dissipation: 1.9W.
Інші пропозиції G7P03L за ціною від 6.47 грн до 58.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G7P03L | Goford Semiconductor |
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G7P03L | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement Technology: Trench Power dissipation: 1.9W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G7P03L |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 29, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| G7P03L |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.65 грн |
| 15+ | 20.97 грн |
| 100+ | 13.30 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| G7P03L |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.9W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.9W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 58.04 грн |
| 14+ | 31.84 грн |
| 25+ | 18.32 грн |
| 100+ | 11.19 грн |
| 500+ | 8.46 грн |
| 1000+ | 7.46 грн |
| 3000+ | 6.47 грн |
| G7P03L |
|
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 29, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.42 грн |