G800N06S2 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.46 грн |
| 12+ | 27.10 грн |
| 100+ | 17.34 грн |
| 500+ | 12.29 грн |
| 1000+ | 11.01 грн |
| 2000+ | 9.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G800N06S2 Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції G800N06S2 за ціною від 10.28 грн до 10.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G800N06S2 | GOFORD Semiconductor |
Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G800N06S2 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 10.28 грн |