G80P03K Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.85 грн |
| 10+ | 47.49 грн |
| 50+ | 35.12 грн |
| 100+ | 29.19 грн |
| 500+ | 22.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G80P03K Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -80A, Power dissipation: 78W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 30nC.
Інші пропозиції G80P03K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
G80P03K | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
G80P03K | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -80A Power dissipation: 78W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| G80P03K |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G80P03K |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.