G86N06K Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G86N06K Goford Semiconductor

Інші пропозиції G86N06K за ціною від 32.81 грн до 79.96 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G86N06K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V , Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V	на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2500+ 33.89 грн Мінімальне замовлення: 2500 купити
	G86N06K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V , Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V	на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 4+ 79.96 грн 10+  68.74 грн 100+  53.61 грн 500+  41.56 грн 1000+  32.81 грн Мінімальне замовлення: 4 купити