G900P15M Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 49.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G900P15M Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V, Power Dissipation (Max): 198W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V.
Інші пропозиції G900P15M за ціною від 56.21 грн до 56.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G900P15M | Виробник : GOFORD Semiconductor |
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-263 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|