Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G900P15T
G900P15T

G900P15T Goford Semiconductor

G900P15T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G900P15T Goford Semiconductor

P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220.

Інші пропозиції G900P15T за ціною від 61.43 грн до 61.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G900P15T GOFORD Semiconductor G900P15T.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.