GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Supplier Device Package: TO-247AB
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Supplier Device Package: TO-247AB, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GA04JT17-247
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA04JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GA04JT17-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.