Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 210°C, FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V, Current Drain (Id) - Max: 5.8 A, Supplier Device Package: TO-46, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Power - Max: 20 W, Resistance - RDS(On): 240 mOhms.
Інші пропозиції GA05JT01-46
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA05JT01-46 | GeneSiC Semiconductor |
 Description: TRANS SJT 100V 9A TO46Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 210°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V Current Drain (Id) - Max: 5.8 A Supplier Device Package: TO-46 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Power - Max: 20 W Resistance - RDS(On): 240 mOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
| GA05JT01-46 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.