GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V, Current Drain (Id) - Max: 6 A, Supplier Device Package: TO-247-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV, Power - Max: 24 W, Resistance - RDS(On): 200 mOhms.
Інші пропозиції GA06JT12-247
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA06JT12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247ABPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V Current Drain (Id) - Max: 6 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Power - Max: 24 W Resistance - RDS(On): 200 mOhms |
товару немає в наявності |