GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A, Power Dissipation (Max): 535W (Tc), Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V.
Інші пропозиції GA100JT12-227
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
GA100JT12-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| GA100JT12-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA100JT12-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GA100JT12-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.