GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-227, Power Dissipation (Max): 535W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GA100JT12-227
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GA100JT12-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.