Продукція > IR > GA200SA60UP

GA200SA60UP IR


Виробник: IR
200A/600V/IGBT/2U
на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GA200SA60UP IR

Description: IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.5 nF @ 30 V.

Інші пропозиції GA200SA60UP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GA200SA60UP
Код товару: 115421
Транзистори > IGBT
товар відсутній
GA200SA60UP GA200SA60UP Виробник : Vishay ga200sa6.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 500000mW
товар відсутній
GA200SA60UP Виробник : Vishay Semiconductors IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A
товар відсутній
VS-GA200SA60UP VS-GA200SA60UP Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.5 nF @ 30 V
товар відсутній
VS-GA200SA60UP Виробник : Vishay Semiconductors VISH_S_A0004024777_1-2569193.pdf IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A
товар відсутній