Технічний опис GA200SA60UP IR
Description: IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.5 nF @ 30 V.
Інші пропозиції GA200SA60UP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
GA200SA60UP Код товару: 115421
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
 |
GA200SA60UP | Виробник : Vishay |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 500000mW |
товару немає в наявності |
|
| GA200SA60UP | Виробник : Vishay Semiconductors | IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A |
товару немає в наявності |
||
 |
VS-GA200SA60UP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.5 nF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|
| VS-GA200SA60UP | Виробник : Vishay Semiconductors |
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A |
товару немає в наявності |