Продукція > NEXPERIA > GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP

GAN039-650NBBHP Nexperia

Виробник: Nexperia
GaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1179.83 грн
10+1005.52 грн
100+738.18 грн
250+732.98 грн
500+697.26 грн
1000+675.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN039-650NBBHP Nexperia

Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN039-650NBBHP за ціною від 838.83 грн до 1473.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN039-650NBBHP GAN039-650NBBHP Виробник : Nexperia USA Inc. Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1473.07 грн
10+1216.36 грн
100+1013.40 грн
500+838.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHP GAN039-650NBBHP Виробник : Nexperia gan039-650nbb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHP GAN039-650NBBHP Виробник : Nexperia gan039-650nbb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHP GAN039-650NBBHP Виробник : Nexperia USA Inc. Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.