Продукція > NEXPERIA > GAN039-650NTBZ

GAN039-650NTBZ Nexperia

Name: GAN039-650NTBZ
Brand: Nexperia
SKU: 21349030-4
Price: 988.09 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
GaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	988.09 грн
10+	850.75 грн
50+	736.11 грн
100+	639.97 грн
500+	597.40 грн
1000+	555.57 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GAN039-650NTBZ Nexperia

Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212i, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN039-650NTBZ

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
GAN039-650NTBZ	Виробник : NEXPERIA	650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
GAN039-650NTBZ	Виробник : NEXPERIA	650 V, 33 mOhm Gallium Nitride GaN FET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
GAN039-650NTBZ	Виробник : Nexperia	Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
GAN039-650NTBZ	Виробник : Nexperia	Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
GAN039-650NTBZ	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
GAN039-650NTBZ	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.