Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ

Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GAN041-650WSBQ за ціною від 745.70 грн до 1875.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+745.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1626.50 грн
100+1545.18 грн
500+1463.85 грн
1000+1333.15 грн
10000+1161.79 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1626.50 грн
100+1545.18 грн
500+1463.85 грн
1000+1333.15 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1626.50 грн
100+1545.18 грн
500+1463.85 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1875.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+745.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1626.50 грн
100+1545.18 грн
500+1463.85 грн
1000+1333.15 грн
10000+1161.79 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1626.50 грн
100+1545.18 грн
500+1463.85 грн
1000+1333.15 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1626.50 грн
100+1545.18 грн
500+1463.85 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSB.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1875.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.