Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSB.pdf
Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GAN041-650WSBQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+750.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia GAN041-650WSB.pdf GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.67 грн
10+709.74 грн
30+617.16 грн
100+424.56 грн
500+419.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia USA Inc. GAN041-650WSB.pdf Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.22 грн
10+663.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA 3211968.pdf Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.40 грн
5+959.23 грн
10+844.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
1000+1336.12 грн
10000+1164.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
1000+1336.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1858.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+750.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSB.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+816.67 грн
10+709.74 грн
30+617.16 грн
100+424.56 грн
500+419.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSB.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+983.22 грн
10+663.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ 3211968.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1074.40 грн
5+959.23 грн
10+844.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
1000+1336.12 грн
10000+1164.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
1000+1336.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSB.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1858.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.