Інші пропозиції GAN041-650WSBQ за ціною від 459.73 грн до 1316.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GAN041-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GAN041-650WSBQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 33.4A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 187W Case: SOT429; TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GAN041-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GAN041-650WSBQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 33.4A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 187W Case: SOT429; TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GAN041-650WSBQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GAN041-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GAN041-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GAN041-650WSBQ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 22nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GAN041-650WSBQ | Виробник : NEXPERIA |
650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
GAN041-650WSBQ | Виробник : NEXPERIA |
650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
GAN041-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |