Продукція > NEXPERIA > GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ Nexperia

GAN041-650WSB.pdf
Виробник: Nexperia
GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+804.70 грн
10+623.63 грн
30+542.29 грн
50+508.74 грн
100+500.36 грн
200+424.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN041-650WSBQ Nexperia

Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN041-650WSBQ за ціною від 671.51 грн до 1881.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+976.84 грн
50+916.20 грн
100+901.04 грн
200+846.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN041-650WSB.pdf Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+995.30 грн
10+671.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1205.00 грн
5+1076.19 грн
10+946.56 грн
50+824.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+1487.64 грн
100+1413.26 грн
500+1338.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+1487.64 грн
100+1413.26 грн
500+1338.88 грн
1000+1219.33 грн
10000+1062.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+1487.64 грн
100+1413.26 грн
500+1338.88 грн
1000+1219.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: GaN
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Kind of transistor: cascode; HEMT
Case: SOT429; TO247
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1881.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ
Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар
GAN041-650WSB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.