Продукція > NEXPERIA > GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ Nexperia

gan041-650wsb.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN041-650WSBQ Nexperia

Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN041-650WSBQ за ціною від 645.15 грн до 1368.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+672.67 грн
100+645.15 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBED197D0589900C7&compId=GAN041-650WSB.pdf?ci_sign=898d1b882129069515e6102f86ab73d2826acd96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1105.54 грн
3+970.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN041-650WSB.pdf Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1170.54 грн
10+1027.13 грн
300+846.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1187.39 грн
50+1159.43 грн
100+1138.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBED197D0589900C7&compId=GAN041-650WSB.pdf?ci_sign=898d1b882129069515e6102f86ab73d2826acd96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1326.65 грн
3+1209.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA 3211968.pdf Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1336.64 грн
5+1277.39 грн
10+1218.13 грн
50+1088.67 грн
100+986.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia GAN041-650WSB.pdf GaN FETs 650 V, 50 mohm Gallium Nitride (GaN) FET
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1368.98 грн
10+1229.67 грн
25+1054.18 грн
100+1045.88 грн
250+882.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ
Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар

GAN041-650WSB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA gan041-650wsb.pdf 650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA gan041-650wsb.pdf 650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.