Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSB.pdf
Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GAN041-650WSBQ за ціною від 457.79 грн до 2006.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+780.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia GAN041-650WSB.pdf GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 64 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+912.92 грн
10+660.26 грн
30+574.14 грн
100+490.49 грн
500+476.04 грн
1000+457.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia USA Inc. GAN041-650WSB.pdf Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.52 грн
10+723.75 грн
50+592.32 грн
300+465.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1702.58 грн
100+1617.45 грн
500+1532.32 грн
1000+1395.50 грн
10000+1216.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1702.58 грн
100+1617.45 грн
500+1532.32 грн
1000+1395.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1702.58 грн
100+1617.45 грн
500+1532.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Technology: GaN
Case: SOT429; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode; HEMT
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2006.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA 3211968.pdf Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+780.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSB.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 64 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+912.92 грн
10+660.26 грн
30+574.14 грн
100+490.49 грн
500+476.04 грн
1000+457.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSB.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1071.52 грн
10+723.75 грн
50+592.32 грн
300+465.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1702.58 грн
100+1617.45 грн
500+1532.32 грн
1000+1395.50 грн
10000+1216.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1702.58 грн
100+1617.45 грн
500+1532.32 грн
1000+1395.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1702.58 грн
100+1617.45 грн
500+1532.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSB.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Technology: GaN
Case: SOT429; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode; HEMT
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2006.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ 3211968.pdf
GAN041-650WSBQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.