Продукція > NEXPERIA > GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ Nexperia

gan041-650wsb.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN041-650WSBQ Nexperia

Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN041-650WSBQ за ціною від 642.05 грн до 1330.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+669.44 грн
100+642.05 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1063.14 грн
3+933.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN041-650WSB.pdf Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1129.57 грн
10+991.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1181.68 грн
50+1153.85 грн
100+1133.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.77 грн
3+1163.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA 3211968.pdf Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1285.38 грн
5+1228.39 грн
10+1171.41 грн
50+1046.92 грн
100+948.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia GAN041-650WSB.pdf GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1330.02 грн
10+1195.02 грн
25+1024.64 грн
50+999.96 грн
100+982.55 грн
250+928.85 грн
500+889.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ
Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар

GAN041-650WSB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA gan041-650wsb.pdf 650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : NEXPERIA gan041-650wsb.pdf 650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Виробник : Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.