Продукція > NXP > GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSAQ

GAN063-650WSAQ NXP

TGAN063-650WSAQ_0001.pdf
Виробник: NXP
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1027.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN063-650WSAQ NXP

Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN063-650WSAQ за ціною від 934.42 грн до 1408.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. GAN063-650WSA.pdf Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.24 грн
10+965.00 грн
300+934.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSAQ Nexperia gan063-650wsa.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.27 грн
10+1086.92 грн
120+958.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSAQ Nexperia gan063-650wsa.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1408.27 грн
13+1086.92 грн
120+958.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSAQ Nexperia GAN063-650WSA.pdf GaN FETs TO247 650V 34.5A GAN FET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSAQ NEXPERIA 2813596.pdf Description: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSA.pdf
GAN063-650WSAQ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1082.24 грн
10+965.00 грн
300+934.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ gan063-650wsa.pdf
GAN063-650WSAQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1408.27 грн
10+1086.92 грн
120+958.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ gan063-650wsa.pdf
GAN063-650WSAQ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1408.27 грн
13+1086.92 грн
120+958.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSA.pdf
GAN063-650WSAQ
Виробник: Nexperia
GaN FETs TO247 650V 34.5A GAN FET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ 2813596.pdf
GAN063-650WSAQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.