| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 948.26 грн |
| 10+ | 931.50 грн |
| 30+ | 809.30 грн |
| 1020+ | 803.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAN063-650WSAQ Nexperia
Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GAN063-650WSAQ за ціною від 953.64 грн до 1104.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GAN063-650WSAQ | NXP |
 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
GAN063-650WSAQ | Nexperia USA Inc. |
Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GAN063-650WSAQ |
|
Виробник: NXP
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
кількість в упаковці: 1 шт
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1057.97 грн |
| GAN063-650WSAQ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1104.50 грн |
| 10+ | 984.84 грн |
| 300+ | 953.64 грн |