Продукція > NEXPERIA > GAN080-650EBEZ
GAN080-650EBEZ

GAN080-650EBEZ NEXPERIA

3959349.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+509.44 грн
50+461.18 грн
100+414.07 грн
250+405.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN080-650EBEZ NEXPERIA

Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA, Supplier Device Package: DFN8080-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN080-650EBEZ за ціною від 255.79 грн до 618.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN080-650EBE.pdf Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.03 грн
10+334.69 грн
100+255.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ Виробник : NEXPERIA 3959349.pdf Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+514.23 грн
5+511.83 грн
10+509.44 грн
50+461.18 грн
100+414.07 грн
250+405.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ Виробник : Nexperia GAN080-650EBE.pdf GaN FETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.83 грн
10+365.21 грн
2500+317.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN080-650EBE.pdf Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.