Продукція > NEXPERIA > GAN080-650EBEZ
GAN080-650EBEZ

GAN080-650EBEZ NEXPERIA

3959349.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+491.29 грн
50+402.35 грн
100+321.70 грн
250+315.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN080-650EBEZ NEXPERIA

Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA, Supplier Device Package: DFN8080-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN080-650EBEZ за ціною від 202.27 грн до 723.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ Nexperia USA Inc. GAN080-650EBE.pdf Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.97 грн
10+356.73 грн
100+261.16 грн
500+239.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ Nexperia GAN080-650EBE.pdf GaN FETs SOT8074 650V 29A FET
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.64 грн
10+383.45 грн
100+243.69 грн
500+238.17 грн
1000+218.15 грн
2500+202.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ NEXPERIA 3959349.pdf Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.25 грн
5+607.27 грн
10+491.29 грн
50+402.35 грн
100+321.70 грн
250+315.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBE.pdf
GAN080-650EBEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.97 грн
10+356.73 грн
100+261.16 грн
500+239.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBE.pdf
GAN080-650EBEZ
Виробник: Nexperia
GaN FETs SOT8074 650V 29A FET
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+572.64 грн
10+383.45 грн
100+243.69 грн
500+238.17 грн
1000+218.15 грн
2500+202.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZ 3959349.pdf
GAN080-650EBEZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+723.25 грн
5+607.27 грн
10+491.29 грн
50+402.35 грн
100+321.70 грн
250+315.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.