GAN111-650WSBQ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 762.70 грн |
| 10+ | 630.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAN111-650WSBQ Nexperia USA Inc.
Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GAN111-650WSBQ за ціною від 648.49 грн до 1215.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GAN111-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
GaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247 |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GAN111-650WSBQ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 4.9nC rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GAN111-650WSBQ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.9nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GAN111-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
GAN111-650WSBQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A |
товару немає в наявності |