Продукція > NEXPERIA > GAN111-650WSBQ
GAN111-650WSBQ

GAN111-650WSBQ NEXPERIA

4395796.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+737.80 грн
50+584.71 грн
100+526.30 грн
250+512.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN111-650WSBQ NEXPERIA

Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN111-650WSBQ за ціною від 467.16 грн до 878.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN111-650WSBQ GAN111-650WSBQ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN111-650WSB.pdf Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+743.29 грн
10+614.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQ GAN111-650WSBQ Виробник : Nexperia GAN111-650WSB.pdf GaN FETs 650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+825.68 грн
10+750.43 грн
30+553.97 грн
120+505.41 грн
270+472.31 грн
510+470.84 грн
1020+467.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQ GAN111-650WSBQ Виробник : NEXPERIA 4395796.pdf Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+878.10 грн
5+807.95 грн
10+737.80 грн
50+584.71 грн
100+526.30 грн
250+512.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQ GAN111-650WSBQ Виробник : Nexperia gan111-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQ GAN111-650WSBQ Виробник : Nexperia gan111-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.