Продукція > NEXPERIA > GAN140-650EBEZ
GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ Nexperia

GAN140-650EBE.pdf
Виробник: Nexperia
GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.72 грн
10+319.59 грн
100+204.77 грн
500+182.10 грн
1000+160.89 грн
2500+146.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN140-650EBEZ Nexperia

Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN8080, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm.

Інші пропозиції GAN140-650EBEZ за ціною від 208.14 грн до 570.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Nexperia gan140-650ebe.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.37 грн
10+414.04 грн
100+323.96 грн
500+208.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Nexperia gan140-650ebe.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+557.37 грн
35+414.04 грн
100+323.96 грн
500+208.14 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Nexperia USA Inc. GAN140-650EBE.pdf Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.78 грн
10+373.90 грн
50+298.65 грн
100+257.57 грн
500+253.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ NEXPERIA 3959351.pdf Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ NEXPERIA 3959351.pdf Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ gan140-650ebe.pdf
GAN140-650EBEZ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+557.37 грн
10+414.04 грн
100+323.96 грн
500+208.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ gan140-650ebe.pdf
GAN140-650EBEZ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+557.37 грн
35+414.04 грн
100+323.96 грн
500+208.14 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBE.pdf
GAN140-650EBEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+570.78 грн
10+373.90 грн
50+298.65 грн
100+257.57 грн
500+253.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ 3959351.pdf
GAN140-650EBEZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ 3959351.pdf
GAN140-650EBEZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.