| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 553.67 грн |
| 10+ | 411.29 грн |
| 100+ | 321.81 грн |
| 500+ | 206.76 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAN140-650EBEZ Nexperia
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN8080, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm.
Інші пропозиції GAN140-650EBEZ за ціною від 206.76 грн до 553.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GAN140-650EBEZ | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GAN140-650EBEZ | Nexperia | GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GAN140-650EBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 3.5nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN8080 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm |
на замовлення 4641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
GAN140-650EBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 3.5nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN8080 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm |
на замовлення 4641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| GAN140-650EBEZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 553.67 грн |
| 35+ | 411.29 грн |
| 100+ | 321.81 грн |
| 500+ | 206.76 грн |
| GAN140-650EBEZ |
Виробник: Nexperia
GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GAN140-650EBEZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GAN140-650EBEZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)