Продукція > NEXPERIA > GAN140-650EBEZ
GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ NEXPERIA

3959351.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+326.81 грн
500+251.36 грн
1000+214.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN140-650EBEZ NEXPERIA

Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA, Supplier Device Package: DFN8080-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -1.4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN140-650EBEZ за ціною від 214.34 грн до 484.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN140-650EBE.pdf Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.43 грн
10+368.99 грн
100+302.48 грн
500+261.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Виробник : NEXPERIA 3959351.pdf Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+468.76 грн
10+398.61 грн
100+326.81 грн
500+251.36 грн
1000+214.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Виробник : Nexperia GAN140-650EBE.pdf GaN FETs SOT8074 650V 17A FET
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.08 грн
10+406.10 грн
25+336.94 грн
100+289.12 грн
250+286.18 грн
500+266.32 грн
1000+246.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ Виробник : NEXPERIA gan140-650ebe.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ Виробник : NEXPERIA GAN140-650EBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN140-650EBE.pdf Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZ Виробник : NEXPERIA GAN140-650EBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.