Продукція > NEXPERIA > GAN140-650FBEZ
GAN140-650FBEZ

GAN140-650FBEZ NEXPERIA

3959350.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+526.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN140-650FBEZ NEXPERIA

Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA, Supplier Device Package: DFN5060-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -1.4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN140-650FBEZ за ціною від 165.74 грн до 623.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN140-650FBEZ GAN140-650FBEZ Виробник : Nexperia GAN140-650FBE.pdf GaN FETs SOT8075 650V 17A FET
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.51 грн
10+386.49 грн
50+238.63 грн
100+237.86 грн
1000+209.47 грн
2500+165.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZ GAN140-650FBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN140-650FBE.pdf Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.04 грн
10+401.24 грн
50+319.37 грн
100+275.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZ GAN140-650FBEZ Виробник : NEXPERIA 3959350.pdf Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+623.19 грн
10+527.64 грн
100+526.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZ GAN140-650FBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN140-650FBE.pdf Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZ Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FABCACF3F3C0D6&compId=GAN140-650FBE.pdf?ci_sign=a08e563dd3a81a417a59fe5b6c94b5b0cfdc25aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.