Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAN140-650FBEZ Nexperia
Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA, Supplier Device Package: DFN5060-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -1.4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GAN140-650FBEZ за ціною від 199.99 грн до 553.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GAN140-650FBEZ | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GAN140-650FBEZ | Nexperia USA Inc. |
Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA Supplier Device Package: DFN5060-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -1.4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GAN140-650FBEZ | Nexperia |
GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
GAN140-650FBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 3.5nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
GAN140-650FBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 3.5nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| GAN140-650FBEZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 199.99 грн |
| GAN140-650FBEZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 553.46 грн |
| 10+ | 361.01 грн |
| 50+ | 287.40 грн |
| 100+ | 247.49 грн |
| 500+ | 239.66 грн |
| GAN140-650FBEZ |
|
Виробник: Nexperia
GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GAN140-650FBEZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GAN140-650FBEZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)