Продукція > NEXPERIA > GAN190-650EBEZ
GAN190-650EBEZ

GAN190-650EBEZ NEXPERIA

3959352.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+218.17 грн
500+188.83 грн
1000+160.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN190-650EBEZ NEXPERIA

Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA, Supplier Device Package: DFN8080-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -1.4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN190-650EBEZ за ціною від 123.30 грн до 247.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN190-650EBEZ GAN190-650EBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN190-650EBE.pdf Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.23 грн
10+215.74 грн
100+212.47 грн
500+196.31 грн
1000+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZ GAN190-650EBEZ Виробник : NEXPERIA 3959352.pdf Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.76 грн
10+232.99 грн
100+218.17 грн
500+188.83 грн
1000+160.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZ GAN190-650EBEZ Виробник : Nexperia GAN190-650EBE.pdf GaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.45 грн
10+237.16 грн
500+200.36 грн
1000+184.95 грн
2500+123.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZ Виробник : NEXPERIA gan190-650ebe.pdf 650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package / SOT8074
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZ Виробник : NEXPERIA GAN190-650EBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZ GAN190-650EBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN190-650EBE.pdf Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZ Виробник : NEXPERIA GAN190-650EBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.