Продукція > NEXPERIA USA INC. > GAN190-650FBEZ
GAN190-650FBEZ

GAN190-650FBEZ Nexperia USA Inc.

GAN190-650FBE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.68 грн
10+201.86 грн
100+197.73 грн
500+170.64 грн
1000+158.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN190-650FBEZ Nexperia USA Inc.

Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA, Supplier Device Package: DFN5060-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -1.4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN190-650FBEZ за ціною від 141.17 грн до 237.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN190-650FBEZ GAN190-650FBEZ Виробник : Nexperia GAN190-650FBE.pdf GaN FETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.82 грн
10+197.93 грн
100+141.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZ GAN190-650FBEZ Виробник : NEXPERIA 3959353.pdf Description: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+230.34 грн
500+180.86 грн
1000+154.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZ GAN190-650FBEZ Виробник : NEXPERIA 3959353.pdf Description: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.11 грн
10+235.42 грн
100+230.34 грн
500+180.86 грн
1000+154.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZ Виробник : NEXPERIA gan190-650fbe.pdf 650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN5 mm x 6 mm package / SOT8075
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZ GAN190-650FBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN190-650FBE.pdf Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZ Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FAD2C3B51260D6&compId=GAN190-650FBE.pdf?ci_sign=2b5dce18527c20356551114f40def3f37df65394 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.