Продукція > NEXPERIA > GAN3R2-100CBEAZ
GAN3R2-100CBEAZ

GAN3R2-100CBEAZ NEXPERIA

3959354.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+228.05 грн
500+207.18 грн
1000+187.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN3R2-100CBEAZ NEXPERIA

Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 394W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA, Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GAN3R2-100CBEAZ за ціною від 131.86 грн до 439.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ Виробник : Nexperia GAN3R2-100CBE.pdf GaN FETs SOT8072 100V 60A FET
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.68 грн
10+292.87 грн
100+239.99 грн
500+237.05 грн
3000+136.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ Виробник : NEXPERIA 3959354.pdf Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+349.08 грн
10+300.50 грн
100+228.05 грн
500+207.18 грн
1000+187.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN3R2-100CBE.pdf Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.02 грн
10+283.17 грн
100+204.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ Виробник : NEXPERIA gan3r2-100cbe.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ Виробник : Nexperia gan3r2-100cbe.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ Виробник : NEXPERIA GAN3R2-100CBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN3R2-100CBE.pdf Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ Виробник : NEXPERIA GAN3R2-100CBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.