Продукція > NEXPERIA USA INC. > GAN3R2-100CBEAZ
GAN3R2-100CBEAZ

GAN3R2-100CBEAZ Nexperia USA Inc.

GAN3R2-100CBE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+115.35 грн
3000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN3R2-100CBEAZ Nexperia USA Inc.

Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 394W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA, Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GAN3R2-100CBEAZ за ціною від 122.57 грн до 439.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ NEXPERIA 3959354.pdf Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+291.00 грн
100+206.46 грн
500+178.13 грн
1000+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ Nexperia USA Inc. GAN3R2-100CBE.pdf Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.55 грн
10+211.42 грн
100+149.99 грн
500+122.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ NEXPERIA 3959354.pdf Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.75 грн
10+291.00 грн
100+206.46 грн
500+178.13 грн
1000+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBEAZ Nexperia GAN3R2-100CBE.pdf GaN FETs SOT8072 100V 60A FET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ 3959354.pdf
GAN3R2-100CBEAZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+291.00 грн
100+206.46 грн
500+178.13 грн
1000+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBE.pdf
GAN3R2-100CBEAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.55 грн
10+211.42 грн
100+149.99 грн
500+122.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ 3959354.pdf
GAN3R2-100CBEAZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+439.75 грн
10+291.00 грн
100+206.46 грн
500+178.13 грн
1000+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZ GAN3R2-100CBE.pdf
GAN3R2-100CBEAZ
Виробник: Nexperia
GaN FETs SOT8072 100V 60A FET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.