Продукція > NEXPERIA > GAN7R0-150LBEZ
GAN7R0-150LBEZ

GAN7R0-150LBEZ NEXPERIA

3959355.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.18 грн
500+140.24 грн
1000+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN7R0-150LBEZ NEXPERIA

Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-VLGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 28W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA, Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V.

Інші пропозиції GAN7R0-150LBEZ за ціною від 91.22 грн до 239.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBE.pdf Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.26 грн
10+185.91 грн
100+150.29 грн
500+125.67 грн
1000+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Виробник : NEXPERIA 3959355.pdf Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.86 грн
10+209.62 грн
100+169.18 грн
500+140.24 грн
1000+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Виробник : Nexperia GAN7R0-150LBE.pdf GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.46 грн
10+209.82 грн
100+147.14 грн
500+131.69 грн
1000+112.56 грн
2500+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Виробник : NEXPERIA gan7r0-150lbe.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 150V 28A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ Виробник : NEXPERIA GAN7R0-150LBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Виробник : Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBE.pdf Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ Виробник : NEXPERIA GAN7R0-150LBE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.