Продукція > NEXPERIA USA INC. > GAN7R0-150LBEZ
GAN7R0-150LBEZ

GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc.

GAN7R0-150LBE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc.

Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-VLGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 28W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA, Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V.

Інші пропозиції GAN7R0-150LBEZ за ціною від 92.11 грн до 372.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ NEXPERIA 3959355.pdf Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.57 грн
500+134.35 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBE.pdf Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.45 грн
100+118.71 грн
500+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ NEXPERIA 3959355.pdf Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.28 грн
10+243.85 грн
100+175.57 грн
500+134.35 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Nexperia GAN7R0-150LBE.pdf GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ 3959355.pdf
GAN7R0-150LBEZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+175.57 грн
500+134.35 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBE.pdf
GAN7R0-150LBEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.85 грн
10+169.45 грн
100+118.71 грн
500+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ 3959355.pdf
GAN7R0-150LBEZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+372.28 грн
10+243.85 грн
100+175.57 грн
500+134.35 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBE.pdf
GAN7R0-150LBEZ
Виробник: Nexperia
GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.