Продукція > NEXPERIA > GANB012-040CBAZ
GANB012-040CBAZ

GANB012-040CBAZ NEXPERIA

4588026.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+62.10 грн
500+56.16 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GANB012-040CBAZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 7.2nC, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції GANB012-040CBAZ за ціною від 50.02 грн до 98.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GANB012-040CBAZ GANB012-040CBAZ NEXPERIA 4588026.pdf Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.35 грн
13+63.73 грн
100+62.10 грн
500+56.16 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZ GANB012-040CBAZ Nexperia GANB012-040CBA.pdf GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZ 4588026.pdf
GANB012-040CBAZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+98.35 грн
13+63.73 грн
100+62.10 грн
500+56.16 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZ GANB012-040CBA.pdf
GANB012-040CBAZ
Виробник: Nexperia
GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.