Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANB012-040CBAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 7.2nC, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції GANB012-040CBAZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GANB012-040CBAZ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 7.2nC Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
GANB012-040CBAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| GANB012-040CBAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GANB012-040CBAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)