GANB1R2-040QBAZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 523.82 грн |
| 50+ | 431.94 грн |
| 100+ | 347.74 грн |
| 250+ | 340.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANB1R2-040QBAZ NEXPERIA
Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 27-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 105W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V.
Інші пропозиції GANB1R2-040QBAZ за ціною від 218.56 грн до 769.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GANB1R2-040QBAZ | Nexperia |
GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16 |
на замовлення 2132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GANB1R2-040QBAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 60nC Bauform - Transistor: VQFN Anzahl der Pins: 27Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GANB1R2-040QBAZ | Nexperia USA Inc. |
Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 27-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 6V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GANB1R2-040QBAZ |
|
Виробник: Nexperia
GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.36 грн |
| 10+ | 408.74 грн |
| 100+ | 261.16 грн |
| 500+ | 257.66 грн |
| 1000+ | 236.02 грн |
| 2500+ | 218.56 грн |
| GANB1R2-040QBAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 769.03 грн |
| 5+ | 646.84 грн |
| 10+ | 523.82 грн |
| 50+ | 431.94 грн |
| 100+ | 347.74 грн |
| 250+ | 340.76 грн |
| GANB1R2-040QBAZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 549.89 грн |
| 10+ | 360.00 грн |
| 100+ | 278.89 грн |