GANB4R8-040CBAZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANB4R8-040CBAZ Nexperia USA Inc.
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 13W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 40V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V.
Інші пропозиції GANB4R8-040CBAZ за ціною від 69.35 грн до 212.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GANB4R8-040CBAZ | Nexperia USA Inc. |
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 13W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V |
на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GANB4R8-040CBAZ | Nexperia |
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 |
на замовлення 2147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
GANB4R8-040CBAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 15.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: - |
на замовлення 4942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
GANB4R8-040CBAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 15.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 22Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 20A |
на замовлення 4942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| GANB4R8-040CBAZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 212.41 грн |
| 10+ | 132.69 грн |
| 50+ | 101.53 грн |
| 100+ | 85.87 грн |
| 500+ | 69.35 грн |
| GANB4R8-040CBAZ |
|
Виробник: Nexperia
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GANB4R8-040CBAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GANB4R8-040CBAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 20A
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)