на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.72 грн |
10+ | 126.4 грн |
100+ | 86.7 грн |
250+ | 80.56 грн |
500+ | 73.05 грн |
1000+ | 62.81 грн |
2500+ | 59.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANB4R8-040CBAZ Nexperia
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 40V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V, Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 13W (Ta), Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1).
Інші пропозиції GANB4R8-040CBAZ за ціною від 62.13 грн до 142.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GANB4R8-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 13W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GANB4R8-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 13W (Ta) Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1) |
товар відсутній |