GANB4R8-040CBAZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 110.19 грн |
| 500+ | 86.04 грн |
| 1000+ | 75.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANB4R8-040CBAZ NEXPERIA
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 40V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V, Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 13W (Ta), Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1).
Інші пропозиції GANB4R8-040CBAZ за ціною від 66.45 грн до 186.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GANB4R8-040CBAZ | Виробник : Nexperia |
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GANB4R8-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 13W (Ta) Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1) |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GANB4R8-040CBAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 15.8nC Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GANB4R8-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 13W (Ta) Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1) |
товару немає в наявності |