GANB8R0-040CBAZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 104.97 грн |
| 500+ | 85.68 грн |
| 1000+ | 72.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANB8R0-040CBAZ NEXPERIA
Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V.
Інші пропозиції GANB8R0-040CBAZ за ціною від 42.18 грн до 172.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GANB8R0-040CBAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 10.1nC Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GANB8R0-040CBAZ | Виробник : Nexperia |
GaN FETs 40 V, 8.0 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 1.7 mm x 1.7 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GANB8R0-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 6V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GANB8R0-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 6V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |