Продукція > NEXPERIA > GANB8R0-040CBAZ
GANB8R0-040CBAZ

GANB8R0-040CBAZ Nexperia

GANB8R0-040CBA.pdf Виробник: Nexperia
GaN FETs 40 V, 8.0 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 1.7 mm x 1.7 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.63 грн
10+110.66 грн
100+77.13 грн
2500+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GANB8R0-040CBAZ Nexperia

Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V.

Інші пропозиції GANB8R0-040CBAZ за ціною від 53.75 грн до 200.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GANB8R0-040CBAZ GANB8R0-040CBAZ Виробник : NEXPERIA GANB8R0-040CBA.pdf Description: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10.1nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.76 грн
10+119.94 грн
100+81.21 грн
500+62.84 грн
1000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZ Виробник : Nexperia USA Inc. GANB8R0-040CBA.pdf Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.74 грн
10+124.02 грн
50+94.06 грн
100+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZ Виробник : Nexperia USA Inc. GANB8R0-040CBA.pdf Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.