
GANB8R0-040CBAZ Nexperia
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.05 грн |
10+ | 98.99 грн |
100+ | 68.79 грн |
250+ | 63.49 грн |
500+ | 57.60 грн |
1000+ | 49.36 грн |
2500+ | 46.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANB8R0-040CBAZ Nexperia
Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V.
Інші пропозиції GANB8R0-040CBAZ за ціною від 66.69 грн до 159.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GANB8R0-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 6V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
GANB8R0-040CBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): 6V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |