Продукція > NEXPERIA USA INC. > GANC035-650TBHZ
GANC035-650TBHZ

GANC035-650TBHZ Nexperia USA Inc.

GANC035-650TBH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.34 грн
10+404.62 грн
50+323.92 грн
100+279.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GANC035-650TBHZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - GANC035-650TBHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 27nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції GANC035-650TBHZ за ціною від 244.35 грн до 704.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GANC035-650TBHZ GANC035-650TBHZ Nexperia GANC035-650TBH.pdf GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
на замовлення 238 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+704.11 грн
10+382.57 грн
100+306.18 грн
500+303.97 грн
1000+270.85 грн
2000+244.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650TBHZ NEXPERIA GANC035-650TBH.pdf Description: NEXPERIA - GANC035-650TBHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650TBHZ GANC035-650TBH.pdf
GANC035-650TBHZ
Виробник: Nexperia
GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
на замовлення 238 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+704.11 грн
10+382.57 грн
100+306.18 грн
500+303.97 грн
1000+270.85 грн
2000+244.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650TBHZ GANC035-650TBH.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANC035-650TBHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.