Продукція > NEXPERIA USA INC. > GANC035-650UTHZ
GANC035-650UTHZ

GANC035-650UTHZ Nexperia USA Inc.

GANC035-650UTH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+633.42 грн
10+416.51 грн
50+333.80 грн
100+288.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GANC035-650UTHZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 27nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TOLT, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції GANC035-650UTHZ за ціною від 252.45 грн до 709.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GANC035-650UTHZ GANC035-650UTHZ Nexperia GANC035-650UTH.pdf GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
на замовлення 230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+709.26 грн
10+394.42 грн
100+315.74 грн
500+305.44 грн
1000+252.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650UTHZ NEXPERIA GANC035-650UTH.pdf Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650UTHZ GANC035-650UTH.pdf
GANC035-650UTHZ
Виробник: Nexperia
GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
на замовлення 230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+709.26 грн
10+394.42 грн
100+315.74 грн
500+305.44 грн
1000+252.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650UTHZ GANC035-650UTH.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.