Продукція > NEXPERIA USA INC. > GANC035-650VSHQ
GANC035-650VSHQ

GANC035-650VSHQ Nexperia USA Inc.

GANC035-650VSH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+652.83 грн
10+430.19 грн
50+345.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GANC035-650VSHQ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - GANC035-650VSHQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 27nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції GANC035-650VSHQ за ціною від 263.49 грн до 710.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GANC035-650VSHQ GANC035-650VSHQ Nexperia GANC035-650VSH.pdf GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
на замовлення 239 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+710.12 грн
10+385.11 грн
120+264.22 грн
510+263.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650VSHQ NEXPERIA GANC035-650VSH.pdf Description: NEXPERIA - GANC035-650VSHQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650VSHQ GANC035-650VSH.pdf
GANC035-650VSHQ
Виробник: Nexperia
GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
на замовлення 239 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+710.12 грн
10+385.11 грн
120+264.22 грн
510+263.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANC035-650VSHQ GANC035-650VSH.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANC035-650VSHQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.