| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 429.17 грн |
| 10+ | 222.03 грн |
| 100+ | 176.25 грн |
| 500+ | 159.43 грн |
| 1000+ | 135.30 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANE2R7-100CBAZ Nexperia
Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Power Dissipation (Max): 470W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +5.5V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GANE2R7-100CBAZ за ціною від 153.87 грн до 394.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GANE2R7-100CBAZ | Nexperia USA Inc. |
 Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +5.5V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GANE2R7-100CBAZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 394.92 грн |
| 10+ | 253.13 грн |
| 50+ | 198.83 грн |
| 100+ | 170.20 грн |
| 500+ | 153.87 грн |