GANE3R9-150QBAZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 634.26 грн |
| 10+ | 417.97 грн |
| 100+ | 310.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANE3R9-150QBAZ Nexperia USA Inc.
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 25-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V, Power Dissipation (Max): 65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA, Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.
Інші пропозиції GANE3R9-150QBAZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GANE3R9-150QBAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 20nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VQFN Anzahl der Pins: 25Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
GANE3R9-150QBAZ | Nexperia |
GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 |
на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
GANE3R9-150QBAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 20nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 25Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 150V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 100A |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| GANE3R9-150QBAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GANE3R9-150QBAZ |
|
Виробник: Nexperia
GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GANE3R9-150QBAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 100A
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 100A
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)