Продукція > NEXPERIA > GANE3R9-150QBAZ

GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA

Name: GANE3R9-150QBAZ
Brand: NEXPERIA
SKU: 24942300-6
Price: 6232.10 UAH
Availability: InStock

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm

на замовлення 2258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	623.21 грн
50+	544.66 грн
100+	373.58 грн
250+	365.90 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA

Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 25-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V, Power Dissipation (Max): 65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA, Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.

Інші пропозиції GANE3R9-150QBAZ за ціною від 249.98 грн до 896.12 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

GANE3R9-150QBAZ

Nexperia

GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

на замовлення 2157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	673.72 грн
10+	455.31 грн
100+	293.97 грн
1000+	269.53 грн
2500+	249.98 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Nexperia USA Inc.

Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V

на замовлення 2063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	701.51 грн
10+	462.20 грн
50+	370.94 грн
100+	320.58 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm

на замовлення 2258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	896.12 грн
5+	760.07 грн
10+	623.21 грн
50+	544.66 грн
100+	373.58 грн
250+	365.90 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Виробник: Nexperia
GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

на замовлення 2157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	673.72 грн
10+	455.31 грн
100+	293.97 грн
1000+	269.53 грн
2500+	249.98 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V

на замовлення 2063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	701.51 грн
10+	462.20 грн
50+	370.94 грн
100+	320.58 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm

на замовлення 2258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	896.12 грн
5+	760.07 грн
10+	623.21 грн
50+	544.66 грн
100+	373.58 грн
250+	365.90 грн

В кошику од. на суму грн.