GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 531.18 грн |
| 50+ | 446.97 грн |
| 100+ | 379.29 грн |
| 250+ | 356.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 25-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V, Power Dissipation (Max): 65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA, Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.
Інші пропозиції GANE3R9-150QBAZ за ціною від 276.27 грн до 685.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 25-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 20nC Bauform - Transistor: VQFN Anzahl der Pins: 25Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia |
GaN FETs 150 V, 3.9 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN) |
на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GANE3R9-150QBAZ | Виробник : NEXPERIA |
GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia |
Gallium Nitride (GaN) FET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia |
Gallium Nitride (GaN) FET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 25-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |