Продукція > NEXPERIA > GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ

GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA

4247899.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+581.20 грн
50+508.12 грн
100+373.28 грн
250+365.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA

Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 25-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V, Power Dissipation (Max): 65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA, Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.

Інші пропозиції GANE3R9-150QBAZ за ціною від 248.39 грн до 849.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GANE3R9-150QBAZ GANE3R9-150QBAZ Виробник : Nexperia GANE3R9-150QBA.pdf GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.44 грн
10+452.42 грн
100+292.11 грн
1000+267.82 грн
2500+248.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZ GANE3R9-150QBAZ Виробник : Nexperia USA Inc. GANE3R9-150QBA.pdf Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+697.05 грн
10+459.26 грн
50+368.58 грн
100+318.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZ GANE3R9-150QBAZ Виробник : NEXPERIA 4247899.pdf Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+849.14 грн
5+715.58 грн
10+581.20 грн
50+508.12 грн
100+373.28 грн
250+365.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZ Виробник : Nexperia gane3r9-150qba.pdf Gallium Nitride (GaN) FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZ Виробник : Nexperia gane3r9-150qba.pdf Gallium Nitride (GaN) FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZ GANE3R9-150QBAZ Виробник : Nexperia USA Inc. GANE3R9-150QBA.pdf Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.