GANE3R9-150QBAZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 689.16 грн |
| 10+ | 454.07 грн |
| 50+ | 364.41 грн |
| 100+ | 314.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GANE3R9-150QBAZ Nexperia USA Inc.
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Power Dissipation (Max): 65W (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V, Package / Case: 25-PowerVFQFN, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA, Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6).
Інші пропозиції GANE3R9-150QBAZ за ціною від 283.31 грн до 1051.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Gate-Ladung, typ.: 20nC rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 25Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 150V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia |
GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 20nC Bauform - Transistor: VQFN Anzahl der Pins: 25Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia |
Gallium Nitride (GaN) FET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia |
Gallium Nitride (GaN) FET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
GANE3R9-150QBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Power Dissipation (Max): 65W (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V Package / Case: 25-PowerVFQFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6) |
товару немає в наявності |