GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.75 грн |
| 10+ | 113.29 грн |
| 25+ | 92.40 грн |
| 100+ | 84.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: TO-252, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB01SLT12-252
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GB01SLT12-252 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
товару немає в наявності |
|
 |
GB01SLT12-252 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
GB01SLT12-252 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |