GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 798.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GB10MPS17-247 за ціною від 855.67 грн до 855.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GB10MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide power schottky diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
GB10MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
GB10MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
GB10MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
GB10MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
товару немає в наявності |
|||||
 |
GB10MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
GB10MPS17-247 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.7kV Load current: 10A Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 87A Features of semiconductor devices: MPS Kind of package: tube Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT |
товару немає в наявності |